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	<title>北京锐质科控电气有限公司 &#187; 技术支持</title>
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		<title>GIS局部放电的常用检测技术原理</title>
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		<pubDate>Thu, 31 Jan 2013 05:52:17 +0000</pubDate>
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				<category><![CDATA[技术支持]]></category>

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		<description><![CDATA[特高频法：UHF法目前已经应用到GIS生产和运行中，它是一种利用特高频频率信号进行局部放电在线监测的方法。在UHF法中传 ...]]></description>
				<content:encoded><![CDATA[<p><strong>特高频法</strong>：UHF法目前已经应用到GIS生产和运行中，它是一种利用特高频频率信号进行局部放电在线监测的方法。在UHF法中传感器并非起耦合的作用，而是接收UHF信号的天线。</p>
<p>GIS内部发生局部放电时，由于放电点处电荷的迅速转移，形成持续时间很短的电流脉冲(ns级)，并产生频率分量极其丰富的电磁信号(高达GHz)，通过传感局部放电所产生的电信号进行局部放电检测，有可能实现较高的灵敏度，并能够及时发现早期的的局部放电。</p>
<p>GIS局部放电在线检测 要求在GIS运行的现场条件下进行检测，由于电晕放电等原因，现场条件下存在 大量的电磁干扰信号。干扰信号的强度有可能远远大于所要检测的局部放电信号，使得局部放电检测的 电信号传感器无法实现。GIS局部放电检测的UHF传感方法正是针对抗电磁干扰问题提出的。并在UHF频段内选择合适的频段进行局部放电的电信号传感，其抗电磁干扰原理是：GIS运行现场的干扰源主要有：架空线和变电站母线上的电晕放电，导体接触不良产生的电弧放电，站内可控硅产生的强电脉冲，其他设备内部的放电，无线电波，载波通讯，系统内开关动作等。研究表明，这些干扰主要集中在300MHz以下频段。</p>
<p>虽然也存在特高频干扰信号，由于传播路径上衰减很快，并且很容易被屏蔽，因此一般不能到达GIS。相比之下，GIS的同轴结构是一个良好的波导，其内部的局部放电辐射出的特高频电磁波可在内部有效地传播，因此，选择特高频段的电磁信号作为检测信号，可以避开常规电气测试方法中难以识别的电力系统中干扰，显着提高了局部放电检测的信噪比(S／N)。</p>
<p><strong>声波监测法</strong>：由于GIS内工作场强很高，可能发生以下几种局部放电：载流导体表面缺陷，如有毛刺、尖角、设计不合理、导体表面的电场强度过高等。绝缘体与导体的交界面上存在气隙，这种气隙可能是在产品制造时残留的，也可能是在使用中热胀冷缩形成的。气隙中分配的场强高，而气隙本身的击穿场强又低，于是在气隙中首先产生放电。浇注绝缘体中的缺陷，如气泡、裂缝等产生的放电。在SF6中导电微粒在强电场下产生的放电。导体部分接触不良等。内部放电发生时，会产生声波信号。声波在GIS中衰减很大，而且随着频率的增高而增大。声波在固体材料中的传播有横波和纵波两种方式，纵波速度快，衰减也快。横波速度慢，衰减也慢。因此贴在GIS外壳的声传感器测得的声波，往往是沿离金属材料最近的方向传到金属体后，以横波的形式传播。研制便携式局部放电带电检测仪的目的是通过将外接探头贴敷在GIS表面，探测到声波信号。迅速判断放电强度、频率、位置。</p>
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		<title>GIS局部放电产生的原因</title>
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		<pubDate>Thu, 31 Jan 2013 05:47:17 +0000</pubDate>
		<dc:creator>admin</dc:creator>
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		<description><![CDATA[GIS中有可能出现的主要绝缘缺陷如图所示，可以总结为以下几个方面： (1)固定缺陷。其中包括导体和外壳内表面上的金属突起 ...]]></description>
				<content:encoded><![CDATA[<p>GIS中有可能出现的主要绝缘缺陷如图所示，可以总结为以下几个方面：</p>
<p>(1)固定缺陷。其中包括导体和外壳内表面上的金属突起，以及固体绝缘表 面上的微粒。金属突起通常是在制造不良和安装损坏擦划时造成的，导致毛刺且较尖。在稳定的工频状态下不引起击穿，但在快速电压如冲击情况下很危险；</p>
<p>(2)GIS腔体内可以移动的自由金属微粒。金属微粒是最普遍的微粒，在制造、装配和运行中均有可能产生，它有积累电荷的能力。在交流电压场的影响下能够移动，在很大程度上运动与放电的可能性是随机的。当靠近高压导体且并未接触时，放电最可能发生，且放电可能性比同样微粒但为固定物时高10倍左右；</p>
<p><a href="http://www.ruizhikekong.com/wp-content/uploads/2013/01/GIS_yuanyin.gif"><img class="alignleft size-full wp-image-101" title="GIS_yuanyin" src="http://www.ruizhikekong.com/wp-content/uploads/2013/01/GIS_yuanyin.gif" alt="" width="482" height="233" /></a></p>
<p>(3)传导部分接触不良。例如静电屏蔽和其它浮动部件。由松动或浮动部件产生的放电可能性很大，通常易于检测，放电趋向于反复，其放电电荷在nC到gC 间转变。</p>
<p>(4)绝缘子制造时造成的内部空隙和实验闪络引起的表面痕迹，还包括或是因电极的表面粗糙或是来自制造时嵌入的金属微粒。此外因环氧树脂与金属电极的收缩系数不同，也会形成气泡或空隙。这些GIS的绝缘缺陷类型极有可能会在GIS中产生局部放电，在绝缘体中的局部放电甚至会腐蚀绝缘材料，进一步发展成为树枝，并最后导致绝缘击穿。</p>
<p>一般来说，由于各种缺陷引发的局部放电具有以下特征： 在电场不均匀时，在导体周围易于发生电晕放电，由于气体中的分子是自由移动的，因此GIS设备中的电晕放电过程与空气中的电晕放电相似，在施加电压的正负峰值附近发生PD脉冲，随电压增加，PD脉冲加大，频度增加。</p>
<p>GIS设备中绝缘子内部的气隙放电在工频正负半周内基本相同，即正负半周放电指纹基本对称。放电脉冲一般出现在实验电压幅值绝对值的上升部分，放电频率依赖与所加电压大小，只有在放电强烈时，才会扩展到电压绝对值下降部分的相位上，且每次放电的大小不相等。绝缘子缺陷在出厂时可能并不出现，但在运输及安装过程中有可能造成损伤。一些缺陷最初可能无害，只是在机械振动和静电力作用下可能轻微移动，形成潜在的隐患。</p>
<p>绝缘子表面的缺陷(如污秽等)有助于电荷的增加，可能会形成表面放电， 导致绝缘子表面的绝缘劣化，甚至击穿。其放电特征是：在电流最大相位过零时 发生小电荷的PD脉冲，随着电压上升有不规则的脉冲出现。</p>
<p>自由导电微粒和固体导体上金属突起放电的相位分布有着明显不同。这个特 征通常可以用来区分缺陷的类型。固体导体上金属突起放电由于导电粒子不浮动， 其放电特征是：在施加电压峰值附近发生大PD脉冲，随电压上升PD电平不变， 频度增加。GIS设备中自由导电微粒有积累电荷能力，在交流电压作用下，静电力可使导电微粒在GIS筒内跳动，如直立旋转、舞动运动等。</p>
<p>这种运动与放电的出现在很大程度上是随机的，这一过程与所加电压大小以及微粒的特性有关。如果一个跳动的微粒接近或运动至GIS设备的高场强区时，伴随产生的局放有可能形 成通道，造成绝缘击穿。其放电特征：在施加电压峰值附近有较大PD的脉冲，并 发生散开，随着电压上升，频度增加，电平无较大变化。相对而言，GIS设备内残留的金属碎屑或金属颗粒产生的各种效应是最为严重的，因此，金属颗粒的放电对GIS设备的危害相对较大。</p>
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